中新网福建新闻6月25日电 6月24日上午，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京隆重召开。三安光电(600703.SH)旗下全资子公司厦门市三安集成电路有限公司与西安电子科技大学等单位合作的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目荣获国家科学技术进步奖一等奖。
该项目解决了高品质氮化镓射频功放芯片在5G通信产业化应用的技术难题。三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发和产业化工作，建立了自主工艺技术平台，协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性度功率放大器核心工艺技术，形成自主知识产权的解决方案，并通过5G组件和系统的应用验证，实现在客户端稳定批量出货，为我国在新一代移动通信技术领域的国际领先地位奠定重要基础，取得显著的经济和社会效益。
“高性能射频功率放大器是移动通信系统的核心器件，如今5G通信对射频功放的带宽、能效和线性度都提出更高需求，传统以硅和砷化镓材料为基础的射频芯片难以满足需求，氮化镓作为第三代半导体材料具备相较传统硅基射频器件更好的高频特性，被业界认为是目前5G基站功放的最优解决方案。”项目主要完成人之一、三安光电副总经理林志东接受采访时表示。
林志东表示，“在该项目研发过程中，我们建立了自己的芯片制造平台，开发出氮化镓功率放大器芯片工艺技术，并通过可靠性验证，成功实现了5G通信产业化应用。”据了解，三安集成作为全球通信基站厂商的主要供应商之一，根据公司供应的晶圆数量计算，已占到全球约20%份额。据中国信通院白皮书发布信息显示，截至2023年10月底，国内已部署开通5G基站累计321.5万个，估算2023年直接带动经济总产出1.86万亿元，间接带动总产出4.24万亿元。
值得一提的是，本次获奖已是三安光电第二次荣获国家科学技术进步将一等奖。此前2020年1月三安光电以“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中国科学院等联袂荣获2019年度国家科学技术进步奖一等奖。谈及连续两次获得一等奖，林志东表示，这源自三安光电深耕化合物半导体的研发和规模化制造已有20多年，公司一直紧跟国家信息通信市场发展规划，与高校紧密合作，同时瞄准市场前沿技术，敢于坚持压强式研发投入，力争在相关重点领域取得突破。
谈到公司今后将如何进一步培育新质生产力时，林志东表示，三安光电时刻关注关键客户需求以及科学技术发展趋势，敢于布局前瞻性研发，探索新材料、新工艺。同时，公司将不断推动数字化、智能化技术与芯片制造产业深度融合，持续改造升级换代产线，以提高芯片品质，降低成本，提升效率，强化企业核心竞争力。(完)